UJIHARA, Toru: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (169)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Solution Growth of SiC Crystal with High Growth Rate Using Accelerated Crucible Rotation Technique

Kusunoki, Kazuhiko, Kamei, Kazuhito, Okada, Nobuhiro, Yashiro, Nobuyoshi, Yauchi, Akihiro, Ujihara, Toru, Nakajima, Kazuo

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 821 KB

english, 2006

Growth rate and surface morphology of 4H–SiC crystals grown from Si–Cr–C and Si–Cr–Al–C solutions under various temperature gradient conditions

Mitani, Takeshi, Komatsu, Naoyoshi, Takahashi, Tetsuo, Kato, Tomohisa, Fujii, Kuniharu, Ujihara, Toru, Matsumoto, Yuji, Kurashige, Kazuhisa, Okumura, Hajime

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 884 KB

english, 2014

Effect of aluminum addition on the surface step morphology of 4H–SiC grown from Si–Cr–C solution

Mitani, Takeshi, Komatsu, Naoyoshi, Takahashi, Tetsuo, Kato, Tomohisa, Harada, Shunta, Ujihara, Toru, Matsumoto, Yuji, Kurashige, Kazuhisa, Okumura, Hajime

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 806 KB

english, 2015

Influences of Solution Flow and Lateral Temperature Distribution on Surface Morphology in Solution Growth of SiC

Fujii, Kuniharu, Takei, Koichi, Aoshima, Masahiro, Senguttuvan, Nachimuthu, Hiratani, Masahiko, Ujihara, Toru, Matsumoto, Yuji, Kato, Tomohisa, Kurashige, Kazuhisa, Okumura, Hajime

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 883 KB

english, 2015

The Effect of Crucible Rotation and Crucible Size in Top-Seeded Solution Growth of Single-Crystal Silicon Carbide

Horiuchi, Takashi, Wang, Lei, Sekimoto, Atsushi, Okano, Yasunori, Yamamoto, Takuya, Ujihara, Toru, Dost, Sadik

Журнал:

Crystal Research and Technology

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 850 KB

english, 2019

Solution growth of high-quality 3C-SiC crystals

Toru Ujihara, Ryosuke Maekawa, Ryo Tanaka, Katsuhiro Sasaki, Kotaro Kuroda, Yoshikazu Takeda

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 438 KB

english, 2008

High-quality and large-area 3C–SiC growth on 6H–SiC(0 0 0 1) seed crystal with top-seeded solution method

Toru Ujihara, Kazuaki Seki, Ryo Tanaka, Shigeta Kozawa, Alexander, Kai Morimoto, Katsuhiro Sasaki, Yoshikazu Takeda

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 693 KB

english, 2011

Polytype-selective growth of SiC by supersaturation control in solution growth

Kazuaki Seki, Alexander, Shigeta Kozawa, Shunta Harada, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.13 MB

english, 2012

Solution Growth of SiC Crystals in Si-Ti and Si-Ge-Ti Solvents

Tanaka, Ryo, Seki, Kazuaki, Komiyama, Satoshi, Ujihara, Toru, Takeda, Yoshikazu

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.20 MB

english, 2009

Influence of Solution Flow on Step Bunching in Solution Growth of SiC Crystals

Zhu, Can, Harada, Shunta, Seki, Kazuaki, Zhang, Huayu, Niinomi, Hiromasa, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Crystal Growth & Design

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.07 MB

english, 2013

Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method

Seki, Kazuaki, Tanaka, Ryo, Ujihara, Toru, Takeda, Yoshikazu

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.59 MB

english, 2009

Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth

Yamamoto, Yuji, Harada, Shunta, Seki, Kazuaki, Horio, Atsushi, Mitsuhashi, Takato, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 769 KB

english, 2013

Polytype Stability of 4H-SiC Seed Crystal on Solution Growth

Alexander,, Seki, Kazuaki, Kozawa, Shigeta, Yamamoto, Yuji, Ujihara, Toru, Takeda, Yoshikazu

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.72 MB

english, 2011

Solution Growth of Self-Standing 6H-SiC Single Crystal Using Metal Solvent

Kusunoki, Kazuhiko, Munetoh, S., Kamei, Kazuhito, Hasebe, Mitsuhiro, Ujihara, Toru, Nakajima, Kazuo

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2004

Nitrogen doping of 4H–SiC by the top-seeded solution growth technique using Si–Ti solvent

Kusunoki, Kazuhiko, Kamei, Kazuhito, Seki, Kazuaki, Harada, Shunta, Ujihara, Toru

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 945 KB

english, 2014

Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique

Kusunoki, Kazuhiko, Okada, Nobuhiro, Kamei, Kazuhito, Moriguchi, Koji, Daikoku, Hironori, Kado, Motohisa, Sakamoto, Hidemitsu, Bessho, Takeshi, Ujihara, Toru

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.85 MB

english, 2014

Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H–SiC depending on the Burgers vector

Harada, Shunta, Yamamoto, Yuji, Seki, Kazuaki, Horio, Atsushi, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Acta Materialia

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.80 MB

english, 2014

Low-dislocation-density 4H-SiC crystal growth utilizing dislocation conversion during solution method

Yamamoto, Yuji, Harada, Shunta, Seki, Kazuaki, Horio, Atsushi, Mitsuhashi, Takato, Koike, Daiki, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 583 KB

english, 2014

Effects of misfit dislocations and AlN buffer layer on the GaInN/GaN phase diagram of the growth mode

Nakajima, Kazuo, Ujihara, Toru, Miyashita, Satoru, Sazaki, Gen

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 380 KB

english, 2001

Direct Growth of AlN Single Crystal on Sapphire by Solution Growth Method

Matsubara, Hiroaki, Mizuno, Kohei, Takeuchi, Yukihisa, Harada, Shunta, Kitou, Yasuo, Okuno, Eiichi, Ujihara, Toru

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 481 KB

english, 2013

Stacking Faults around the Hetero-Interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth

Seki, Kazuaki, Morimoto, Kai, Ujihara, Toru, Tokunaga, Tomoharu, Sasaki, Katsuhiro, Kuroda, Kotaro, Takeda, Yoshikazu

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 937 KB

english, 2010

TEM Studies on the Initial Stage of Seeded Solution Growth of 6H-SiC using Metal Solvent

Kamei, Kazuhito, Kusunoki, Kazuhiko, Munetoh, S., Ujihara, Toru, Nakajima, Kazuo

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 976 KB

english, 2004

Top-Seeded Solution Growth of 3 Inch Diameter 4H-SiC Bulk Crystal Using Metal Solvents

Kusunoki, Kazuhiko, Kamei, Kazuhito, Okada, Nobuhiro, Moriguchi, Koji, Kaido, Hiroshi, Daikoku, Hironori, Kado, Motohisa, Danno, Katsunori, Sakamoto, Hidemitsu, Bessho, Takeshi, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2014

Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique

Ujihara, Toru, Maekawa, Ryosuke, Tanaka, Ryo, Sasaki, Katsuhiro, Kuroda, Kotaro, Takeda, Yoshikazu

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 610 KB

english, 2009

Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Al-Si Solvent

Harada, Shunta, Yamamoto, Yuji, Xiao, Shi Yu, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 291 KB

english, 2014

Bulk 3C-SiC Crystal by Top Seeded Solution Growth Method

Seki, Kazuaki, Harada, Shunta, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.28 MB

english, 2013

Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

Ujihara, Toru, Kozawa, Shigeta, Seki, Kazuaki, Alexander,, Yamamoto, Yuji, Harada, Shunta

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 978 KB

english, 2012

High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth

Yamamoto, Yuji, Harada, Shunta, Seki, Kazuaki, Horio, Atsushi, Mitsuhashi, Takato, Ujihara, Toru

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.50 MB

english, 2012

High Temperature Solution Growth on Free-Standing (001) 3C-SiC Epilayers

Tanaka, Ryo, Seki, Kazuaki, Ujihara, Toru, Takeda, Yoshikazu

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.20 MB

english, 2009

Dislocation Conversion During SiC Solution Growth for High-Quality Crystals

Harada, Shunta, Yamamoto, Yuji, Xiao, Shi Yu, Koike, Daiki, Mutoh, Takuya, Murayama, Kenta, Aoyagi, Kenta, Sakai, Takenobu, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 794 KB

english, 2015

4H-SiC Growth from Si-Cr-C Solution under Al and N Co-Doping Conditions

Mitani, Takeshi, Komatsu, Naoyoshi, Takahashi, Tetsuo, Kato, Tomohisa, Ujihara, Toru, Matsumoto, Yuji, Kurashige, Kazuhisa, Okumura, Hajime

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 477 KB

english, 2015

Non-uniform electrodeposition of zinc on the (0001) plane

Mitsuhashi, Takato, Ito, Yasumasa, Takeuchi, Yukihisa, Harada, Shunta, Ujihara, Toru

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.81 MB

english, 2015

3C-SiC Crystal on Sapphire by Solution Growth Method

Shibata, Kenji, Harada, Shunta, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 849 KB

english, 2015

Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth of SiC Crystal

Koike, Daiki, Umezaki, Tomonori, Murayama, Kenta, Aoyagi, Kenta, Harada, Shunta, Tagawa, Miho, Sakai, Takenobu, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 994 KB

english, 2015

Research on Solvent Composition for Different Surface Morphology on C Face during 4H-SiC Solution Growth

Xiao, Shi Yu, Hara, Natsumi, Harada, Shunta, Murayama, Kenta, Aoyagi, Kenta, Sakai, Takenobu, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 518 KB

english, 2015

Change in Surface Morphology by Addition of Impurity Elements in 4H-SiC Solution Growth with Si Solvent

Komatsu, Naoyoshi, Mitani, Takeshi, Takahashi, Tetsuo, Kato, Tomohisa, Kurashige, Kazuhisa, Matsumoto, Yuji, Ujihara, Toru, Okumura, Hajime

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.71 MB

english, 2015

Improvement of Surface Morphology by Solution Flow Control in Solution Growth of SiC on Off-Axis Seeds

Umezaki, Tomonori, Koike, Daiki, Harada, Shunta, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.18 MB

english, 2015

Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents

Horio, Atsushi, Harada, Shunta, Koike, Daiki, Murayama, Kenta, Aoyagi, Kenta, Sakai, Takenobu, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 769 KB

english, 2016

Characterization of V-Shaped Defects Formed during the 4H-SiC Solution Growth by Transmission Electron Microscopy and X-ray Topography Analysis

Xiao, Shiyu, Harada, Shunta, Murayama, Kenta, Ujihara, Toru

Журнал:

Crystal Growth & Design

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.71 MB

english, 2016

High-Speed Solution Growth of Single Crystal AlN from Cr-Co-Al Solvent

Watanabe, Shota, Nagaya, Masashi, Takeuchi, Yukihisa, Aoyagi, Kenta, Harada, S., Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 353 KB

english, 2016

Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiС Crystal Grown by Solution Method

Wang, Zhen Jiang, Kawaguchi, Takahiko, Murayama, Kenta, Aoyagi, Kenta, Harada, S., Tagawa, Miho, Sakai, Takenobu, Kato, Tomohisa, Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 763 KB

english, 2016

Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents

Komatsu, Naoyoshi, Mitani, Takeshi, Hayashi, Yuichiro, Kato, Tomohisa, Harada, Shunta, Ujihara, Toru, Okumura, Hajime

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.55 MB

english, 2017

Septin Interferes with the Temperature-Dependent Domain Formation and Disappearance of Lipid Bilayer Membranes

Yamada, Shunsuke, Isogai, Takumi, Tero, Ryugo, Tanaka-Takiguchi, Yohko, Ujihara, Toru, Kinoshita, Makoto, Takiguchi, Kingo

Журнал:

Langmuir

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.85 MB

english, 2016

Plasmonic Heating-Assisted Laser-Induced Crystallization from a NaClO 3 Unsaturated Mother Solution

Niinomi, Hiromasa, Sugiyama, Teruki, Tagawa, Miho, Maruyama, Mihoko, Ujihara, Toru, Omatsu, Takashige, Mori, Yusuke

Журнал:

Crystal Growth & Design

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.27 MB

english, 2017

Numerical investigation of the transport phenomena occurring in the growth of SiC by the induction heating TSSG method

Yamamoto, Takuya, Adkar, Nikhil, Okano, Yasunori, Ujihara, Toru, Dost, Sadik

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.06 MB

english, 2016

Analysis of the carbon transport near the growth interface with respect to the rotational speed of the seed crystal during top-seeded solution growth of SiC

Umezaki, Tomonori, Koike, Daiki, Harada, Shunta, Ujihara, Toru

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.34 MB

english, 2016

SiC Solution Growth on Si Face with Extremely Low Density of Threading Screw Dislocations for Suppression of Polytype Transformation

Murayama, Kenta, Hori, Tsukasa, Harada, S., Xiao, S., Tagawa, M., Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 693 KB

english, 2017

Formation of Basal Plane Dislocations Introduced by Collision of Macrosteps on Growth Surface during SiC Solution Growth

Hori, Tsukasa, Murayama, Kenta, Harada, S., Xiao, S., Tagawa, M., Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.22 MB

english, 2017

Solvent Design for High-Purity SiC Solution Growth

Harada, S., Hatasa, Goki, Murayama, Kenta, Kato, Tomohisa, Tagawa, M., Ujihara, Toru

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 816 KB

english, 2017

Detection of edge component of threading dislocations in GaN by Raman spectroscopy

Kokubo, Nobuhiko, Tsunooka, Yosuke, Fujie, Fumihiro, Ohara, Junji, Hara, Kazukuni, Onda, Shoichi, Yamada, Hisashi, Shimizu, Mitsuaki, Harada, Shunta, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2018